20世紀50年代末,半導體硅晶閘管的出現標志著以固態半導體器件為核心的現代電力電子學的結束,引起了感應加熱電源技術以致整個電力電子學土地的一場革命,同時感應加熱電源及應用獲得了飛速發展。1890年瑞典技能人員發明晰第一臺感應熔煉爐 ——開槽式有芯爐， 1916年美國人發明晰閉槽有芯爐，從此感應加熱技能逐步進入實用化期間。

　　70年代末80年代初,現代半導體集成技術與 功率半導體技術相結合,開發出了一大批新型的電力電子半導體器件,為高頻土地感應加熱電源的研制提供了堅固的基礎。20世紀電力電子器材和技能的飛速開展，極大地推進了感應加熱技能的開展。

　　1957年，美國研公布作爲電力電子器材裏程碑的晶閘管，標志著現代電力電子技能的開端，也引發了感應加熱技能的革新。1966年，瑞士和西德首要使用晶閘管研發感應加熱設備，從此感

　　應加熱設備開啓飛速開展。

　　20世紀80年代中期,西歐國家就研制出了用功率場效應管(MOSFET)作開關管的高頻電源,其頻率為200kHz左右,功率可達數千瓦[2]。之后GTO、MOSFET、IGBT、M CT及 SIT等器材相繼出現。

　　感應加熱設備也逐步放棄晶閘管，初階選用這些新器材�，F在較短論長常用的是IGBT和MOSFET， IGBT用于較大功率場所，而MOSFET用于較高頻率場所。據報道，海外可以選用IGBT將感應加熱設備

　　做到功率超越1000kW ，頻率超越50kHz。而MOSFET較適用高頻場所，通常使用在幾千瓦的中小功率場所，頻率可到達500kHz以上，乃至幾兆赫茲。但是海外也有推出選用 MOSFET的大功率的感

　　應加熱設備，比方美國研發的2000kW /400kHz的設備。

　　我國感應熱處置技能的真實使用始于1956年，早年蘇聯引進，首要使用在汽車工業。跟著 20世紀電源設備的制作，感應淬火工藝配備也緊隨其后獲得開展�，F在國內感應淬火工藝配備制

　　作業也日益擴展，國產產品品種多，本來需求進口的配備，逐漸被國國產產品所替代，在爲國家節約外彙的一起，開展了國內的相關企業。當前感應加熱制作業的效勞方針首假如汽車制作業，往後現代

　　冶金工業將對感應加熱有較大需求。

　　依據交變電流的頻率的高低，可將感應加熱熱處置分為超高頻、高頻、超音頻、中頻、工頻 5類。

　�、俪�高頻感應加熱熱處理所用的電流頻率高達27兆赫，加熱層極薄，僅約0.15毫米，可用于圓盤鋸等形狀複雜工件的薄層外表淬火。

　�、诟哳l感應加熱熱處理所用的電流頻率通常爲200～300千赫,加熱層深度爲0.5～2毫米,可用于齒輪、汽缸套、凸輪、軸等零件的外表淬火。

　　③超音頻感應加熱熱處理所用的電流頻率一般爲20～30千赫，用超音頻感應電流對小模數齒輪加熱，加熱層大體沿齒廓分布，粹火後使用性能較好。

　�、�中頻感應加熱熱處理所用的電流頻率一般爲2.5～10千赫,加熱層深度爲2～8毫米，多用于大模數齒輪、直徑較大的軸類和冷軋輥等工件的外表淬火。

　　⑤工頻感應加熱熱處理所用的電流頻率爲50～60赫，加熱層深度爲10～15毫米，可用于大型工件的外表淬火。